주식회사 휴템

반도체/디스플레이 제조 시 이종 또는 동종 물질간의 Wafer Level Bonding 공정 서비스

공정 사양
구분	내용
기판 크기	Piece ~ 8 inch
기판 종류	Si,m Sapphire, Glass, GaN, GaAs
본딩 Type	Eutetic, Adhesive, Epoxy, Polymer
공정 온도	상온 ~ 400℃
공정 압력	10 ~ 20,000kgf
Align Type	Inner Side Align (ISA, 실시간 Align)

MicroLED, MiniLED, FBAR filter, SAW filter, CIS, Vertical LED, 가속도 센서, 압전 트랜스듀서, Solar cell 등

Aligner

Plasma Asher

Laser 가접합 모듈

Hot Plate

Oven

Bonder

Spin Coater

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